|
С2-33-0,125-91 Ом 5% (90,92гг)
|
90:999, 92:283
|
6583
|
1,51
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
С2-33Н-0,5-1,2 кОм 5%(90-92гг)
|
90:239, 91:200, 92:130
|
569
|
1,01
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
ТА1-220-50 5 (90-92гг)
|
90:27, 91:1, 92:25
|
53
|
170,93
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
ТА101-220-400 5 (90-92гг.)
|
90:27, 91:31, 92:1
|
59
|
211,15
|
23.04.2024 13:33:13
|
|
|
|
резистор с1-4-0,125-68 кОм-5% (9092г.)
|
--
|
7665
|
0,02
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-29в-0,125-9,2 кОм-0,5% (90г.) -1,0-В (5)
|
--
|
40
|
0,25
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-33н-0,125-2,7 кОм-5% (9092г.) -АВв (5)
|
--
|
2265
|
0,03
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-29в-0,125-9,09 кОм-0,25% (92г.) -1-А (5)
|
--
|
1
|
0,35
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-33н-0,125-9,09 кОм-1% (92г.) -АВв (5)
|
--
|
573
|
0,15
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-23-0,125-9,09 кОм-1% (92г.) ос
|
--
|
65
|
0,15
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-29в-0,125-909 Ом-0,1% (92г.) -1,0-С (5)
|
--
|
15
|
0,45
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-23-0,125-909 Ом-1% (92г.) -АВв
|
--
|
1000
|
0,15
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
Микросхема 590кн12 (92г.)
|
(Au) Светлана
|
52
|
14,38
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-29в-0,125-92 кОм-0,25% (90г.) -1,0-Б (5)
|
--
|
49
|
0,30
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-29в-0,125-92 Ом-0,25% (90г.) -1,0-А (5)
|
--
|
18
|
0,30
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
резистор с2-36-0,125-920 Ом-0,5% (90г.) -АНв (5)
|
--
|
440
|
0,20
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
590КН12 92г.
|
|
1
|
19,61
|
13.02.2024 14:15:26
|
|
|
|
0805 90,9 КОМ 1% (RC2012F9092CS)
|
б/г Samsung 5000
|
10000
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
Р1-12-0.125-909-2%-М-А
|
2005-2010г 5 ,в ленте без этик.
|
109
|
|
12.01.2024 12:09:41
|
|
|
|
Р1-12-0.5-909-2%-М-А
|
2006г 5 ,упак.
|
151
|
|
12.01.2024 12:09:41
|
|
|
